[发明专利]半导体激光器件无效
| 申请号： | 03130783.3 | 申请日： | 2003-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1452285A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 河西秀典;山本圭;厚主文弘;藤城芳江;吉田智彦 | 申请（专利权）人： | 夏普公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波,侯宇 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体激光器件具有n型GaAs衬底1支撑的依次形成的n型AlGaAs第一盖层2，多重量子阱有源层3和p型AlGaAs第二盖层4。多重量子阱有源层3具有两个量子阱层3a和设置在每一量子阱层3a两侧的垒层3b。每一量子阱层3a由In1－V1GaV1As1－W1PW1构成，每一垒层3b由In1－V2GaV2As1－W2PW2构成。这里，V1和V2满足V1＜V2，W1和W2满足W1＜W2。垒层相对于GaAs衬底具有张应变，阱层相对于GaAs衬底具有压应变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光器件，其具有由第一导电类型的GaAs衬底支撑并依次形成的第一导电类型的第一盖层、有源层和第二导电类型的第二盖层，所述层中的每一层均由III-V族化合物半导体构成，该有源层具有至少一个阱层和一些垒层，该垒层具有大于该阱层的能隙，该阱层被置于该垒层之间，其中该阱层和垒层每层都包含作为V族元素的P和As及作为III族元素的Ga和In；该垒层中的V族元素中P的比例大于阱层中的V族元素中P的比例；该垒层中的III族元素中In的比例小于阱层中的III族元素中In的比例；该垒层具有相对于GaAs衬底的张应变；该阱层具有相对于GaAs衬底的压应变；以及该半导体激光器件具有约780nm的发射波长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普公司，未经夏普公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03130783.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
