[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 03130796.5 | 申请日： | 2003-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1452244A | 公开（公告）日： | 2003-10-29 |
| 发明（设计）人： | 田中顺;大谷美晴;尾形洁;铃木康道;堀田胜彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,叶恺东 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件，可防止元件整体的机械强度下降，减少沿布线传播的信号的延迟。构成各布线层(100)的第一绝缘层和第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和/或氧化硅，下层布线层的第二绝缘层包含氧化硅，上层布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和/或添加碳的氧化硅。使下层布线层的第二绝缘层的介电常数比上层布线层的第二绝缘层的介电常数小。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，在衬底上层叠了多个布线层，其特征在于：所述布线层分别包括：第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层；以及贯通所述第一至第三绝缘层形成的导体布线；所述第一绝缘层和所述第三绝缘层包含碳化氮化硅膜、碳化硅和氧化硅的至少其中之一；在所述布线层中位于下层部的布线层的第二绝缘层包含氧化硅；在所述布线层中位于上层部的布线层的第二绝缘层包含添加氟的氧化硅和添加碳的氧化硅的至少其中之一。
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