[发明专利]聚二甲基硅氧烷芯片低真空键合方法

摘要

涉及一种聚二甲基硅氧烷芯片低真空键合方法。其步骤为将聚合后的硅橡胶样品新鲜剥离得芯片组件，放入真空腔，抽真空，用氧气反复冲洗，排出残余气体：再抽真空，加高压使真空腔内的氧气起辉，对芯片组件表面进行氧等离子体轰击，并与大气压平衡，打开真空腔，将经氧等离子体处理好的芯片组件贴合。其键合强度很高，经拉力实验测定，可超过PDMS本体的强度，仪器设备简单，要求的真空度较低。抽真空时间、放气时间短，提高了效率。

主权项

1、聚二甲基硅氧烷芯片低真空键合方法，其特征在于其步骤为：1)、将聚合后的硅像胶样品新鲜剥离，得到PDMS芯片组件；2)、将新鲜剥离的PDMS芯片组件放入真空腔，抽真空到本底真空度为0.1～0.3Torr；3)、用氧气反复冲洗真空腔至少2次，将其残余气体排出；4)、关闭氧气流，把真空腔抽真空到氧气压力为0.1～0.3Torr；5)、加高压使真空腔内的氧气起辉，对PDMS芯片组件表面进行氧等离子体轰击；6)、轰击完毕立即打开放气阀，向真空腔内充气直至与大气压平衡；打开真空腔，将经氧等离子体处理好的PDMS芯片组件现场贴合；7)、贴合后保温。