[发明专利]图形形成方法

摘要

本发明提供一种在半导体集成电路装置的制造过程等中使用的图形形成方法。在基板上形成由有机材料构成的低介电常数绝缘膜后，在第1室内，在低介电常数绝缘膜的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第1分子层。然后在第1室的内部保持低介电常数绝缘膜后，在第2室内，在第1分子层的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第2分子层。然后，在形成第1分子层和第2分子层的低介电常数绝缘膜上形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜，对于该抗蚀膜进行曝光和显影从而形成抗蚀层图形。由此可以使在具有空穴或者含有有机材料的被处理膜上形成的化学增幅型抗蚀膜构成的抗蚀层图形良好。

主权项

1.一种图形形成方法，其特征在于，包括：在基板上形成具有空穴或者含有有机材料的被处理膜的工序；在第1室的内部中通过边对所述基板加热边在所述被处理膜的表面上供给六甲基二硅氨烷，在所述被处理膜的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第1分子层的工序；将形成第1分子层的被处理膜保持在第1室的外部的工序；在第2室的内部，通过向所述第1分子层的表面供给六甲基二硅氨烷而在所述第1分子层的表面上形成由三甲基硅烷基构成的第2分子层的工序；在形成所述第2分子层的所述被处理膜上形成由化学增幅型抗蚀材料构成的抗蚀膜的工序；对于所述抗蚀膜选择性照射曝光的光进行图形曝光的工序；以及对图形曝光后的所述抗蚀膜进行显影并形成抗蚀层图形的工序。