[发明专利]多孔性配位不饱和金属配位化合物无效
| 申请号： | 03131010.9 | 申请日： | 2003-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1458144A | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 北川进;山本浩史;辰巳准 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本触媒 |
| 主分类号： | C07C251/24 | 分类号： | C07C251/24;C07F1/08;C07F9/28;C07F15/00;B01J31/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种多孔性配位不饱和金属配位化合物，是由金属及有机配位基所构成的金属配位化合物单元通过交联金属相连接而成的，通过该连接可以形成一维或三维空穴，该空穴的孔径在10以上，而且该金属配位化合物单元中的金属处于配位不饱和状态。根据本发明可以提供除低分子之外一般的化合物也可以作为反应基质掺入，且催化活性或分子保持功能较高的多孔性配位不饱和金属配位化合物。另外，本发明还提供具有上述作用效果的该配位化合物的制造方法、该配位化合物作为催化剂的使用方法、以及用于构成多孔性配位不饱和金属配位化合物的金属配位化合物单元及有机配位基。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 性配位 不饱和 金属 化合物 | ||
【主权项】：
1.一种多孔性配位不饱和金属配位化合物，由金属及有机配位基所构成的金属配位化合物单元通过交联金属相连接而成，其特征在于，根据该连接形成空穴，该空穴的孔径在10_以上，而且该金属配位化合物单元中的金属处于配位不饱和状态。
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