[发明专利]用于通过激光束使半导体结晶化的方法和装置无效
| 申请号： | 03131162.8 | 申请日： | 2003-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1461045A | 公开（公告）日： | 2003-12-10 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木伸夫;宇塚达也;大木孝一 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社;株式会社日本激光 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/00;G02F1/133 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 由多个激光源所发射的激光束被分为多个子光束，其被照射到一个基片上的无定形半导体的所选择部分上，以使得该无定形半导体结晶化。通过一个光束扩展器纠正在该激光束之间的发散角的差别。该装置包括一个子光束选择照射系统，该系统包括子光束分离组件和子光束聚焦组件。并且，该装置包括激光源、聚焦光学系统、以及组合光学系统。用于支承基片的平台包括多个第一台部件、置于该第一台部件上方的第二台部件、以及可旋转地置于该第二平台上以支承该无定形半导体的第三台部件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 通过 激光束 半导体 结晶 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用于对半导体结晶化的方法，包括如下步骤：把由激光源所发射的激光束分类多个子光束；以及有选择地把子光束照射到基片上的无定形半导体上，以使该半导体结晶化；其中由多个激光源所发射的激光束被同时照射到该半导体上，并且多个激光束的发散角之间的差别被纠正。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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