[发明专利]液晶显示面板前段阵列制造工艺中第一道黄光暨蚀刻方法有效
| 申请号： | 03131175.X | 申请日： | 2003-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1549059A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 庄智强;郭行健;郑朝云;吴淑芬 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/40 | 分类号： | G03F7/40;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平;杨梧 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种液晶显示面板前段阵列制造工艺中的第一道黄光暨蚀刻方法，包括以下步骤：在玻璃基板上沉积Mo/AlNd或MoW/AlNd或MoW/Al双层金属层，接着以光阻定义出闸极以及字元线的图案，随后再分别以含氧/含氟(SiF6/O2)混合蚀刻气体以及氧气/含氯混合蚀刻气体，蚀刻出具有稍微倾斜侧壁的金属线条，通过(1)增加蚀刻均匀度；(2)拉大Mo与AlNd的蚀刻选择比；(3)提高制造工艺压力；(4)增加Mo蚀刻速率，加大与AlNd的蚀刻选择比，减少光阻灰化速率，使侦测上盖层Mo金属蚀刻终点得以704nm波长蚀刻终点侦测器执行。 | ||
| 搜索关键词： | 液晶显示 面板 前段 阵列 制造 工艺 一道 黄光暨 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种液晶显示面板前段阵列制造工艺中的第一道黄光暨蚀刻方法，包括以下步骤：在一玻璃基板上沉积Mo/AlNd或MoW/AlNd或MoW/Al双层金属层，接着以一光阻定义出闸极以及字元线的图案，随后再分别以含氧/含氟(SiF6/O2)混合蚀刻气体以及氧气/含氯混合蚀刻气体，蚀刻出具有稍微倾斜侧壁的金属线条，其特征在于通过(1)增加蚀刻均匀度；(2)拉大Mo与AlNd的蚀刻选择比；(3)提高制造工艺压力；(4)增加Mo蚀刻速率，加大与AlNd的蚀刻选择比，减少光阻灰化速率，使侦测上盖层Mo金属蚀刻终点得以704nm波长蚀刻终点侦测器执行。
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