[发明专利]金属布线的形成方法和显示装置的制造方法有效
| 申请号： | 03131349.3 | 申请日： | 2003-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN1458682A | 公开（公告）日： | 2003-11-26 |
| 发明（设计）人： | 青森繁 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/28;G02F1/136 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑峰 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种金属布线的形成方法。设构成在基板(51)上的形成了Cu布线图形(32)的选择区域的由TiN构成的布线图形(31)的材料的电负度为Xs。设构成没有形成Cu布线图形(32)的非选择区域的由SiO2构成的层间绝缘膜(29)的材料的电负度为Xn。设用于形成Cu布线图形(32)的有机金属材料的电负度为Xm。选择满足Xs＜Xn＜Xm的关系式的材料，通过有机金属材料的歧化反应来形成Cu布线图形(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 布线 形成 方法 显示装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种金属布线(30、57)的形成方法，用于在选择区域选择性地形成金属布线(30、57)，其特征在于；在构成所述选择区域的材料(31)具有的电负度为Xs、至少所述选择区域附近构成没有形成所述金属布线(30、57)的非选择区域的材料(29)具有的电负度为Xn、用于形成所述金属布线(30、57)的有机金属材料(5)具有的电负度为Xm时，各电负度有Xs＜Xn＜Xm的关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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