[发明专利]移除氮化硅层的方法有效
| 申请号： | 03131388.4 | 申请日： | 2003-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1549310A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张庆裕 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种移除氮化硅层的方法，此方法系首先提供一晶圆，其中晶圆上已形成有一氮化硅层，且氮化硅层系暴露出部分晶圆。之后，将晶圆置于一蚀刻反应槽中，且此蚀刻反应槽中系注入有一含氧化能力之化学反应物，以移除晶圆上氮化硅层。其中在移除氮化硅层之过程中，会同时在裸露的晶圆表面形成一化学氧化层。由于在晶圆之表面会形成有一化学氧化层以保护晶圆之表面，因此在移除氮化硅层之过程中，蚀刻液就不会对晶圆表面造成损害。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种移除氮化硅层的方法，包括：提供一晶圆，其中该晶圆上已形成有一氮化硅层；以及将该晶圆置于一蚀刻反应槽中，且该蚀刻反应槽中系注入有一含氧化能力之化学反应物，以移除该氮化硅层，其中在移除该氮化硅层之过程中，会同时在裸露的该晶圆表面形成一化学氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
