[发明专利]加工方法、半导体器件的制造方法、和加工装置无效
申请号: | 03131416.3 | 申请日: | 2003-05-14 |
公开(公告)号: | CN1460895A | 公开(公告)日: | 2003-12-10 |
发明(设计)人: | 竹石知之;川野健二;池上浩;伊藤信一;高桥理一郎 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法,其特征在于包括:使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第1加工光,对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序;和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第2加工光,选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。 | ||
搜索关键词: | 加工 方法 半导体器件 制造 装置 | ||
【主权项】:
1.一种对在衬底上形成的加工膜的第1加工区域进行选择加工的加工方法,包括:使在上述衬底上的照射形状比上述第1加工区域小的第1加工光,对上述衬底相对地扫描以选择加工上述加工膜的上述第1加工区域;向比上述加工区域更往内侧的第2加工区域照射第2加工光,选择加工上述加工膜的第2加工区域。
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