[发明专利]耐熔微掩模法制备高温超导Josephson结的方法无效

专利信息
申请号: 03131541.0 申请日: 2003-05-23
公开(公告)号: CN1461063A 公开(公告)日: 2003-12-10
发明(设计)人: 许伟伟;吴培亨;杨森祖;吉争鸣;范世雄 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: H01L39/24 分类号: H01L39/24;H01L39/22
代理公司: 南京天翼专利代理有限责任公司 代理人: 汤志武;王鹏翔
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 耐熔微掩模法制备高温超导Josephson结的方法,利用耐融微掩模法制备,选用常规或双晶或台阶基片,用原位制备法在基片上制备CeO2/YBCO双层膜,YBCO作为底层介质膜同时起到悬挂微掩模层的支撑作用,在上述双层膜上制备光刻胶掩模,曝光显影后得到微桥图形;用等离子刻蚀法将微桥区的CeO2膜刻去制备出CeO2掩模;用稀磷酸腐蚀微桥区部分的YBCO膜,使得底层的YBCO彻底去除干净;放入成膜系统中生长出所需要图形的高温超导薄膜,直接形成Josephson结。利用此方法可以避免刻蚀工艺对超导器件性能的影响,制备高质量的高温超导Josephson结。
搜索关键词: 耐熔微掩模 法制 高温 超导 josephson 方法
【主权项】:
1、耐熔微掩模制备高温超导Josephson结的方法,其特征是利用耐融微掩模法制备,选用常规或双晶或台阶基片,用原位制备法在基片上制备CeO2/YBCO双层膜,YBCO作为底层介质膜同时起到悬挂微掩模层的支撑作用,CeO2薄膜是作为刻蚀YBCO膜时的掩摸层;在上述双层膜上制备光刻胶掩模,用原微桥的负版做掩模板,曝光显影后得到微桥图形;用等离子刻蚀法将微桥区的CeO2膜刻去制备出CeO2掩模;用稀磷酸腐蚀微桥区部分的YBCO膜,使得底层的YBCO彻底去除干净;放入成膜系统中生长出所需要图形的高温超导薄膜,直接形成Josephson结。
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