[发明专利]荷负电无机－有机杂化膜的制备方法

摘要

本发明荷负电无机－有机杂化膜的制备方法，特征是以化学式为[R¹(SH)R²]_pSiX_4－p分子链中含巯基的烷氧基硅烷或卤硅烷为原料，溶于溶剂中后，加入水和催化剂，搅拌反应；将所得溶胶在无机基体上涂膜，得到的膜在室温干燥，然后升温到80－200℃，常压或减压条件保温1－12小时；将生成物浸入氧化剂水溶液中，在20－80℃保持12－50小时，即得到相应的荷负电无机－有机杂化膜；本发明制备杂化膜的方法，制备步骤简单，杂化膜中的无机－有机成分相容性较好。

主权项

1、一种荷负电无机-有机杂化膜的制备方法，特征在于以分子链中含巯基的烷氧基硅烷或卤硅烷为原料，溶于溶剂中后，加入水和催化剂，在10-60℃搅拌反应，得到溶胶；上述各组份合适的摩尔比为硅烷∶溶剂∶水∶催化剂＝1∶3-15∶3-10∶0.001-0.01；将所得的溶胶在无机基体上涂膜；膜片在室温、相对湿度为60-90％的环境下干燥至形成均匀稳定的凝胶层；再以5-20℃/小时的速度从室温升温到80-200℃，常压或减压条件下保温1-12小时；最后对生成物进行氧化反应，即：将生成物浸入pH＝4-7的1-20％的氧化剂的水溶液中，在20-80℃保持12-50小时；所述分子链中含巯基的烷氧基硅烷或卤硅烷，其化学式可表达为[R1(SH)R2]PSiX4-p，式中R1和R2分别为含0-10，1-10个碳的烷基或芳基；X包括1-5个碳的烷氧基团和卤素，最常用的为Cl；P的值为1-3；所述催化剂包括盐酸、硫酸、三氟乙酸、氢氧化钠、氯化铵、氟化铵；所述无机基体包括Al2O3多孔陶瓷、Al2O3微滤或超滤膜、二氧化硅或二氧化钛；所述涂膜方法包括刮膜、喷洒、浸渍、流动、旋转涂覆；所述氧化剂包括过氧化氢、高锰酸钾、重铬酸钾、次氯酸。