[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03132658.7 | 申请日： | 2003-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1494164A | 公开（公告）日： | 2004-05-05 |
| 发明（设计）人： | 荒尾达也 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/00;G02F1/136;G09F9/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是在同一衬底上形成：压缩截至电流的同时重视高耐压性能的TFT；增大导通电流的同时重视高耐压性能的TFT；重视短沟道结构以及因短沟道结构引起的门栏值降低的TFT。本发明的特征在于使栅绝缘膜具有多层结构的同时，在半导体膜上形成不同于栅电极的辅助电极从而在同一衬底上制作具有不同厚度栅绝缘膜的TFT。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包含：具有沟道形成区域的半导体层；在所述半导体层上形成的第一绝缘膜；在所述半导体层上形成的第一辅助电极，二者之间夹有所述第一绝缘膜；形成在所述第一绝缘膜和第一辅助电极上的第二绝缘膜；和在所述沟道形成区域上形成的栅电极，二者之间夹有所述第一绝缘膜和第二绝缘膜；其中，所述第一辅助电极形成在所述沟道形成区的外侧。
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