[发明专利]横向晶体管无效
| 申请号： | 03132730.3 | 申请日： | 2003-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1518124A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 山本文寿;榎原敏之 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/735 | 分类号： | H01L29/735;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰;叶恺杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于：即使在长时间持续使用的情况下，也能够提供电流放大系数的变化较小的横向晶体管。本发明的横向晶体管在LOCOS氧化膜(场绝缘膜)12上形成多晶硅层14，多晶硅层14从集电极区5朝向发射极区6，覆盖集电极区5和基极区4。进而，为了使该多晶硅层14与发射极区6电连接，用布线15将多晶硅层14与发射极区6联结起来。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种横向晶体管，它是在发射极区、集电极区及基极区在衬底的同一主面上形成的横向晶体管，其特征在于：具备：横跨上述集电极区和上述基极区形成的场绝缘膜；以及在上述场绝缘膜上形成的导电层，该导电层从上述集电极区朝向上述发射极区经上述场绝缘膜，覆盖上述集电极区和上述基极区，上述发射极区与上述导电层进行电连接。
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