[发明专利]精细图案形成方法和抗蚀剂表层处理剂无效
| 申请号： | 03132814.8 | 申请日： | 2003-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1495522A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 石桥健夫 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/32;G03F7/36;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘元金;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供稳定形成长宽比高的抗蚀剂图案的抗蚀剂图案形成方法和用于形成该抗蚀剂图案的材料。在硅片W上形成抗蚀剂膜1。接着，通过曝光掩模M进行曝光后，进行曝光后烘烤。在曝光后烘烤后的硅片W上，形成抗蚀剂表层处理剂膜2，进行混合烘烤。由混合烘烤形成抗蚀剂强化部R。然后，除去未反应部2a，干燥硅片W。对该硅片W进行等离子体干显像，形成所希望的抗蚀剂图案。 | ||
| 搜索关键词： | 精细 图案 形成 方法 抗蚀剂 表层 处理 | ||
【主权项】：
1.一种在基板上形成精细图案的方法，其特征在于，具备：第1成膜工序，该工序在前述基板上形成具有感光性的抗蚀剂膜，第2成膜工序，该工序在前述抗蚀剂膜上形成具有耐干蚀刻性的抗蚀剂表层处理剂膜，曝光工序，该工序选择性地对前述抗蚀剂膜曝光，由此在前述抗蚀剂膜上得到感光部和非感光部，选择性赋予工序，该工序赋予前述感光部和前述非感光部中的一方与前述抗蚀剂表层处理剂膜的选择反应性，掩模层形成工序，该工序选择性地使前述抗蚀剂膜和前述抗蚀剂表层处理剂膜反应，形成具有耐干蚀刻性的掩模层，除去工序，该工序除去前述抗蚀剂表层处理剂膜的未反应部分，以及干显像工序，该工序在前述掩模层进行掩蔽的同时进行干显像。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社瑞萨科技，未经株式会社瑞萨科技许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03132814.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
