[发明专利]使用低能离子注入形成半导体器件的浅阱的方法有效
| 申请号： | 03132862.8 | 申请日： | 2003-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1485895A | 公开（公告）日： | 2004-03-31 |
| 发明（设计）人： | 李宰圭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76;H01L21/302;H01L21/265 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种使用低能离子注入形成半导体器件的浅阱的方法。在一个实施例中，使用低能、高剂量离子注入工艺形成阱区至沟槽隔离层的深度。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 低能 离子 注入 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成阱的方法，该方法包括：在半导体衬底中形成隔离沟槽；有选择地执行低能、高剂量离子注入，穿过沟槽的底部，由此在沟槽下形成高浓度阱；用绝缘层填充沟槽，由此在高浓度阱中形成绝缘层；以及在包括绝缘层的半导体衬底上执行低能离子、低剂量注入，由此在半导体衬底中形成低浓度阱至与高浓度阱的上部部分地重叠的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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