[发明专利]形成π型辅助电极的方法有效
| 申请号： | 03132870.9 | 申请日： | 2003-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1571599A | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 黄文荣;林永池;郑景中;李胜吉 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈肖梅;文琦 |
| 地址： | 台湾省台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改善π形辅助电极与铟锡氧化透明导电膜之间附着性的方法，包含提供一玻璃基板，在玻璃基板上利用溅镀的方式将做为铟锡氧化电极的铟锡氧化透明导电膜形成在玻璃基板上方；在铟锡氧化透明导电膜上形成一线形并且具有凹洞的光阻层，利用蚀刻的方式，将部分的铟锡氧化透明导电膜移除，使得在铟锡氧化透明导电膜内具有一凹洞并且将部分的玻璃基板暴露出来；在移除光阻之后，利用印刷的方式，将做为辅助电极的银膏层形成在玻璃基板及铟锡氧化透明导电膜的上方，由于π形辅助电极的π形端位于凹洞上，其与暴露出凹洞的玻璃基板有良好的附着性，使得π形辅助电极与铟锡氧化透明导电膜之间的附着性增加，故发生角边翘曲的现象大幅降低。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 辅助 电极 方法 | ||
【主权项】：
1.一种增加电极附着性的方法，其特征在于，该增加电极附着性的方法包含：提供具有一透明导电膜的一玻璃基板，其中该透明导电膜位于部份该玻璃基板上；形成具有一凹洞图案的一光阻层位于该透明导电膜上；蚀刻该透明导电膜同时形成具有一凹洞形状位于该透明导电膜内以及形成一透明导电电极，其中该凹洞形状曝露出部份该玻璃基板；以及形成具有一π形端的一辅助电极位于该玻璃基板及该透明导电膜上方，其中该辅助电极的该π形端位于该凹洞形状上。
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