[发明专利]具有“电流垂直于平面”结构的磁阻元件无效
| 申请号： | 03132882.2 | 申请日： | 2003-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1479387A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 长坂惠一;清水丰 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11B5/39;G11B5/00;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 付建军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在自由磁层的表面上形成上电极的较小电极层。与自由磁层表面上的较小电极层相邻形成绝缘材料的磁畴控制膜。根据磁畴控制膜与自由磁层之间的磁交换耦合在单一方向上定向自由磁层的磁化。仅通过较小电极层在自由磁层与上电极之间建立电连接。自由和被钉扎磁层中的感测电流路径可以减小。因此，可以在CPP结构磁阻元件中获得较高的灵敏度。在CPP结构磁阻元件中，有效磁芯宽度也可以减小。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电流 垂直 平面 结构 磁阻 元件 | ||
【主权项】：
1.一种“电流垂直于平面”结构磁阻元件，包括：导电自由磁层；导电被钉扎磁层；导电非磁性中间层，介于所述自由和被钉扎磁层之间；主电极层，由导电材料制成；较小电极层，由导电材料制成，并且介于所述自由磁层与所述主电极层之间；以及磁畴控制膜，由绝缘磁性材料制成，并且相邻于所述自由磁层与所述主电极层之间的所述较小电极层。
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