[发明专利]场电极金属半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 03133016.9 | 申请日： | 2003-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN1477716A | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 戴恩·C·米勒;因德·J·巴尔;爱德华·L·格里芬 | 申请（专利权）人： | M/A－COM公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种平面型MESFET晶体管，包括多个FET元件。每个FET元件包括一掺杂的平面沟道、以及与该沟道端部连接的源极和漏极。一栅极导体位于源极和漏极之间的位置处的部分沟道的上方，并从漏极延伸一第一预定距离。一场电极与栅极导体相连接，并向漏极延伸一第二预定距离，该场电极通过一介电材料与除了其和栅极导体连接处的其余沟道形成绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种MESFET晶体管，包括源极、栅极和漏极结构，所述晶体管包括：一衬底，定义一平表面；一位于所述平表面中的掺杂沟道区，所述沟道区沿源-漏传导方向延长，并定义源极端和漏极端；一导电栅极导体，定义上表面和下表面，所述栅极导体覆盖一部分所述沟道区，沿源-漏传导方向，所述栅极导体具有分隔开的第一和第二边缘，所述栅极区的第一和第二边缘分别接近所述沟道区的所述源极端和漏极端，所述栅极导体的所述第二边缘与所述沟道区的所述漏极端相距大约1.8微米；一源极，与所述沟道区的所述源极端电连接；一漏极，与所述沟道区的所述漏极端电连接；一导电的场电极，与所述栅极导体的所述上表面相连接，并从所述栅极导体的所述第二边缘向所述沟道区的所述第二端延伸大约1.3微米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于M/A－COM公司，未经M/A－COM公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03133016.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
