[发明专利]具有多阶输出电流的非易失存储器编程、读取与擦除方法有效
| 申请号： | 03133041.X | 申请日： | 2003-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1479316A | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 郭东政;刘建宏;潘锡树;黄守伟 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文;黄小临 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有多阶输出电流的非易失性存储器的编程、读取与擦除方法。该非易失性存储器内的各存储器单元包含有一由两绝缘层包覆的非导体介电层，该非导体介电层中具有一第一区域及一第二区域。经由储存电子于各该存储器单元的第一区域及第二区域与否，可得到具有不同启始电压的存储器单元。而当读取具有不同启始电压的存储器单元时，可检测到多阶的输出电流，因此可得到一多阶输出电流的非易失性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 输出 电流 非易失 存储器 编程 读取 擦除 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有多阶输出电流的非易失性存储器的编程、读取与擦除方法，该非易失性存储器包含有多个存储器单元，而所述存储器单元的状态包含有至少一第一写入状态、一第二写入状态、一第三写入状态与一第四写入状态，该方法包含有：施加一第一读取电压于欲读取的该存储器单元的一导体；施加一第二读取电压于欲读取的该存储器单元的一漏极；以及接地欲读取的该存储器单元的一源极，以获得一输出电流；其中该输出电流包含有一对应于该第一写入状态的最大输出电流、一对应于该第二写入状态的第一输出电流、一对应于该第三写入状态的第二输出电流、以及一对应于该第四写入状态的第三输出电流。
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