[发明专利]可溶于光致抗蚀剂显影液的有机底部抗反射组合物及使用该组合物的光刻和蚀刻方法无效
| 申请号： | 03133069.X | 申请日： | 2003-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1484094A | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | 崔相俊 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/038 | 分类号： | G03F7/038;G03F7/20;G03F7/26 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 丁业平;王维玉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种有机底部抗反射组合物，其含有芳族聚合物化合物、热交联剂和有机溶剂。芳族聚合物化合物含有的官能团可吸收波长短于约248nm的曝光且其为可热交联的以及可用酸水解脱交联的。热交联剂通过与芳族聚合物化合物的官能团反应导致热交联反应。有机底部抗反射组合物可溶于光致抗蚀剂显影液。有机底部抗反射组合物应用于光刻和蚀刻方法时，有机底部抗反射组合物形成的层可在光致抗蚀剂曝光和烘焙过程之后的显影过程中与光致抗蚀剂层一同显影形成图案。其结果是光刻及蚀刻方法可得到简化，沉积的光致抗剂层的初始厚度可以降低，且蚀刻的加工裕度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 可溶 光致抗蚀剂 显影液 有机 底部 反射 组合 使用 光刻 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可溶于光致抗蚀剂显影液的有机底部抗反射组合物，所述组合物含有：具有一种官能团的芳族聚合物化合物，所述官能团吸收波长短于约248nm的曝光，且其为可热交联的以及可用酸脱交联的；热交联剂，其通过与芳族聚合物化合物的官能团反应导致热交联反应；和有机溶剂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03133069.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
