[发明专利]有磁隧道结的薄膜磁性体存储装置无效
| 申请号： | 03133130.0 | 申请日： | 2003-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN1501402A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 日高秀人 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C7/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 将数据写入电流供给写入数位线(WDL)的激励晶体管(35)，配置在其栅长方向与写入数位线(WDL)相同的方向上。再有，在写入数位线(WDL)中，在对应于存储单元的配置区域的正常部分(93)和电源布线(90)之间，设置布线截面积大于正常部分(93)的加强部分(95)。依据这样的配置，能够避免依赖于激励晶体管尺寸的存储单元的配置间距的扩大，实现芯片面积的小型化，同时可避免写入数位线(WDL)上的局部电流密度的增大，改善动作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 薄膜 磁性 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜磁性体存储装置，其中设有：各自含有在对应于存储数据的方向磁化的磁性体层的多个磁存储单元，用以流过使磁化所述磁性体层的数据写入磁场发生的数据写入电流的写入线，以及数据写入时，为供给所述数据写入电流将所述写入线连接在第一与第二电压之间的电流驱动电路；所述电流驱动电路包含电连接于所述第一与第二电压中的一方和所述写入线之间的场效应晶体管；所述场效应晶体管，沿着其栅长方向与所述写入线相同的方向设置。
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