[发明专利]鳍状半导体二极管结构有效
| 申请号： | 03133232.3 | 申请日： | 2003-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1532948A | 公开（公告）日： | 2004-09-29 |
| 发明（设计）人： | 杨育佳;杨富量 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑特强 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种鳍状半导体二极管结构，其包括一半导体基材、一垂直半导体鳍状体、一第一导电件和一第二导电件。该半导体鳍状体位于该半导体基材上方，该半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域和掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，第一重掺杂区域和第二重掺杂区域分别位于半导体鳍状体的两侧，第一导电件接触该第一重掺杂区域，第二导电件接触该第二重掺杂区域。该第一重掺杂区域和第二重掺杂区域之间还可包括一轻掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 二极管 结构 | ||
【主权项】：
1、一种半导体二极管结构，其包括一半导体基材，其特征在于：该半导体二极管包括一位于该半导体基材上方的垂直半导体鳍状体、一第一导电件和一第二导电件；该半导体鳍状体具有掺杂有第一掺杂物的第一重掺杂区域和掺杂有第二掺杂物的第二重掺杂区域，该第一重掺杂区域和该第二重掺杂区域分别位于该半导体鳍状体的两侧；该第一导电件接触该第一重掺杂区域，该第二导电件接触该第二重掺杂区域。
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