[发明专利]30纳米磁性薄膜的制造技术无效
| 申请号： | 03133649.3 | 申请日： | 2003-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN1581386A | 公开（公告）日： | 2005-02-16 |
| 发明（设计）人： | 孙仁涛;王晓雯;吴东阁;李绍恒;李洪儒 | 申请（专利权）人： | 沈阳汇博思宾尼斯传感技术有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/20 | 分类号： | H01F41/20 |
| 代理公司： | 沈阳科威专利代理有限责任公司 | 代理人： | 崔红梅 |
| 地址： | 116301辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 30纳米磁性薄膜制造技术，利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶化处理工艺技术，其特征是选取高纯度的Ni、Co，按1：2.3的比例混合备用；用真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀：当真空度达到1.0×10－6乇时，加热承片台，20分钟达到450℃，恒温5分钟；待蒸发舟中的Ni、Co蒸发料溶化后开始蒸发，蒸发速率控制到0.05纳米/秒，厚度控制在30纳米以下，然后，经过无氧化结晶化处理，使之成为具有各向异性的磁性体薄膜。经过半导体平面工艺加工后，制成微功耗磁传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 30 纳米 磁性 薄膜 制造 技术 | ||
【主权项】：
1、一种30纳米磁性薄膜的制造技术，利用真空蒸镀的方法和无氧化结晶化处理工艺技术，其特征是磁性原料选取高纯度的Ni、Co，按1∶2.3的比例混合备用，然后，通过真空蒸镀的方法进行薄膜蒸镀，当真空度达到1.0×10-6乇时，加热承片台，20分钟达到450℃，恒温5分钟；待蒸发料溶化后开始蒸镀，蒸发速率控制到0.05纳米/秒，厚度控制在30纳米以下，在Si片基底(1)的绝缘膜(2)上形成敏感膜(3)，然后，经过无氧化结晶钝化处理，使之成为具有各向异性的磁性体薄膜(4)。
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