[发明专利]传感器小间隙非粘连静电封接工艺无效
| 申请号： | 03134138.1 | 申请日： | 2003-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1585085A | 公开（公告）日： | 2005-02-23 |
| 发明（设计）人： | 张治国;李颖 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;B81B5/00;H05K13/00 |
| 代理公司： | 沈阳科威专利代理有限责任公司 | 代理人： | 崔红梅 |
| 地址： | 110043辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 传感器小间隙非粘连静电封接工艺，包括采用通常的静电封接工艺，其特征是封接电压的引入方式：加工时封接电压的正电位必须加至硅材料1和玻璃上电极5上，而封接电压的负电位必须加至玻璃2。采用异性腐蚀工艺把硅晶体材料1加工出的边框、薄区和可动质量块4，硅材料1的封接面之外，焊有封接电压的引入线7；采用溅射工艺在玻璃材料2上表面形成金属电极层5，再用光刻腐蚀工艺将该电极层加工出与边缘压焊点相连的金属连线8。本发明通过改变封接电压的引入方式，保证两者为同电位，消除了其间的静电引力造成电极粘连，实现了小间隙敏感器件的静电全硬封连接，确保了传感器蠕变更小，具有更可靠的长期稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 间隙 粘连 静电 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种传感器小间隙非粘连静电封接工艺，适用于硅和玻璃两种材料的静电封接，包括采用静电封接工艺、压焊工艺、溅射工艺、光刻腐蚀工艺，其特征是封接电压的引入方式：将器件依1-3次序由上至下叠放，硅材料(1)的可动质量块(4)和玻璃(2)上电极层(5)相互对准，将硅材料(1)上的电极引线(7)和玻璃(2)上电极层5的电极引线(7)相连并和直流电压的正极相接，保证两者为同电位，玻璃(2)通过加热板(3)连接到直流电压的负电极；封接条件：对岛梁型和岛膜型的敏感器件的封接温度采用310-330℃，封接电压采用550-650V，封接时间为15分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
