[发明专利]电极与传感器薄膜良好接触的新方法无效
| 申请号： | 03134266.3 | 申请日： | 2003-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1553520A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 宁铎;马令坤;张振强 | 申请（专利权）人： | 宁铎 |
| 主分类号： | H01L31/00 | 分类号： | H01L31/00;G01J1/02 |
| 代理公司： | 西安慈源有限责任专利事务所 | 代理人： | 鲍燕平 |
| 地址： | 712081陕西省咸阳*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明是电极与传感器薄膜良好接触的新方法，其特征是：它由石英底板(1)、镀铬层(2)、下镀金层(3)、硫化铅薄膜(4)、上镀金层(5)依次由下而上连接构成，上镀金层(5)同时覆盖在硫化铅薄膜(4)的部分外表面上和下镀金层(3)的部分上表面，覆盖在硫化铅薄膜(4)表面的面积大于硫化铅薄膜(4)覆盖下镀金层(3)的面积。这种硫化铅薄膜光敏传感器，它不仅消除了金属与半导体之间势垒或不良接触，避免传感器出现噪音极化现象，提高了传感器使用的可靠性与稳定性，而且显著提高了产品的生产合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 传感器 薄膜 良好 接触 新方法 | ||
【主权项】：
1、电极与传感器薄膜良好接触的新方法，其特征是：它由石英底板(1)、镀铬层(2)、下镀金层(3)、硫化铅薄膜(4)、上镀金层(5)依次由下而上连接构成，上镀金层(5)同时覆盖在硫化铅薄膜(4)的部分外表面上和下镀金层(3)的部分上表面，覆盖在硫化铅薄膜(4)表面的面积大于硫化铅薄膜(4)覆盖下镀金层(3)的面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
