[发明专利]镁锰干电池及其制造工艺无效

专利信息
申请号: 03134338.4 申请日: 2003-06-30
公开(公告)号: CN1474468A 公开(公告)日: 2004-02-11
发明(设计)人: 李华伦;刘元镛;杨学勤;孟昭 申请(专利权)人: 西安亚太博轩科技有限责任公司
主分类号: H01M4/66 分类号: H01M4/66;H01M4/50;H01M2/16;H01M6/06;H01M2/02
代理公司: 西安文盛专利代理有限公司 代理人: 彭冬英
地址: 710061陕西省西安市长安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提出一种镁锰干电池,干电池的阳极材料是高纯度镁合金,干电池的镁合金阳极壳体是采用温挤压成型的整体圆筒形壳体,电池隔膜材料是低电阻的经过处理的纸质隔膜。本发明镁锰干电池的主要性能指标明显高于同型号的普通锌锰干电池:平均工作电压比锌锰干电池高0.3-0.4伏,适于大电流放电、大电流放电的容量是同型号的锌锰干电池的2倍以上,储存超过2年仍保持80%的初始容量,不含汞和镉等污染环境的物质。使用范围与使用方法同锌锰干电池相同。
搜索关键词: 干电池 及其 制造 工艺
【主权项】:
1、一种镁锰干电池,其特征在于:干电池的阳极壳体材料是高纯度镁合金,阴极活性物质是二氧化锰,镁合金阳极壳体为整体圆筒形,电池隔膜材料是经过改性处理的木纤维纸。
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