[发明专利]光刻胶图案增厚材料，光刻胶图案形成工艺和半导体器件制造工艺无效
| 申请号： | 03134679.0 | 申请日： | 2003-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1497670A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 小泽美和;野崎耕司 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/26 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 杜娟;肖善强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料等，此光刻胶图案增厚材料能将待增厚的光刻胶图案增厚，形成精细的中空图案，超过在图案化期间使用的曝光设备光源的曝光极限。该光刻胶图案增厚材料包括：树脂和表面活性剂。在本发明的光刻胶图案的形成工艺中，在形成了待增厚的光刻胶图案以后，刻胶图案增厚材料被涂覆到待增厚的光刻胶图案的表面上，由此形成光刻胶图案。本发明的半导体器件的制造工艺包括：在下层上形成待增厚的光刻胶图案以后，涂覆增厚材料到待增厚光刻胶图案的表面上，来将待增厚的光刻胶图案增厚并形成光刻胶图案的步骤，以及通过使用光刻胶图案蚀刻对下层图案化的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图案 材料 形成 工艺 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶图案增厚材料，包含：树脂；和表面活性剂。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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