[发明专利]工艺余量的评价方法、测定条件的设定方法和程序无效
| 申请号： | 03134790.8 | 申请日： | 2003-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1497671A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 三本木省次 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/66;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 陈海红;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以提供可以正确地评价工艺余量的工艺余量的评价方法。对在被曝光衬底上形成图形的工艺，设定多个曝光量的设定值和多个焦点位置的设定值。对每一个曝光量的设定值和焦点位置的设定值的组合，计算图形的多个模拟测定尺寸。根据每一种组合的模拟测定尺寸，计算多个ED－tree，计算多个工艺余量。计算在相当于被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个余量曲线的曝光量的余量的分散。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺 余量 评价 方法 测定 条件 设定 程序 | ||
【主权项】：
1.一种工艺余量的评价方法，其特征在于具有：对在被曝光衬底上形成图形曝光的工艺，设定多个曝光量的设定值和多个焦点位置的设定值；对每一个上述曝光量的设定值和上述焦点位置的设定值的组合，计算上述图形的多个模拟测定尺寸；根据上述每一种组合的上述模拟测定尺寸，计算多个ED-tree，计算多个工艺余量；和计算在相当于上述被曝光衬底的最大的高低差的焦点深度处的多个上述余量曲线的曝光量的余量度的分散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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