[发明专利]自修复半导体及其方法有效
申请号: | 03134804.1 | 申请日: | 2003-09-24 |
公开(公告)号: | CN1505151A | 公开(公告)日: | 2004-06-16 |
发明(设计)人: | S·苏塔查;P·苏塔查 | 申请(专利权)人: | 马维尔世界贸易有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/82 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 巴巴多斯百*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 自修复半导体包括执行相同功能且包含子功能单元的多个功能单元。半导体包括一个或多个集成在半导体上的全部或部分备用功能单元。如果在子功能单元中探测到故障,则该子功能单元将被切换掉且被全部或部分备用功能单元中的子功能单元替换。用与子功能单元相连的开关器件实现了这一重新配置。在组装后、上电期间、定时和/或手动操作期间可以探测到出故障的功能或子功能单元。 | ||
搜索关键词: | 修复 半导体 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.自修复半导体,其特征在于:所述自修复半导体包括:M个各自包括N个子功能单元的功能单元,其中所述M个功能单元的每一个执行相同的功能,其中M和N大于1,且其中N个子功能单元中各自相应的子功能单元执行相同的功能;第一备用功能单元,其包括X个子功能单元,其中X大于或等于1并且小于或等于N,且其中所述第一备用功能单元的所述X个子功能单元与所述M个功能单元相应的子功能单元在功能上可以相互换;和多个开关器件,当所述N个子功能单元的至少一个不可工作时,其用所述X个子功能单元的至少一个替换所述N个子功能单元的至少一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的