[发明专利]单室沉积非晶硅叠层太阳能电池及制造方法

摘要

本发明涉及单室沉积非晶硅叠层太阳能电池制造，属于叠层薄膜电池技术。目的是利用单室沉积技术，创造一种低成本大规模生产非晶硅双结叠层太阳能电池。技术特征在单室中充入I层非晶硅工作气体，压力80Pa，温度230℃，放电功率120W，沉积膜厚700～800的I层非晶硅膜；分子泵抽真空度6.0～9.0×10^－3Pa时，在顶电池I层非晶硅膜表面，及顶电池N层微晶硅膜表面分别制作一层40～50氧化物阻挡层，氩离子轰击和氩气冲洗，减少膜层污染。

主权项

1、一种单室沉积非晶硅叠层太阳能电池，包括沉积的顶电池PIN非晶硅、微晶硅膜和制备的底电池PIN非晶硅、微晶硅膜，其特征在于所述的叠层太阳能电池，是在大面积玻璃基片上沉积的八层非晶硅、微晶硅膜和氧化物阻挡层所构成，且以氧化物阻挡层优化隧道结。