[发明专利]曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法无效
申请号: | 03134833.5 | 申请日: | 2003-09-25 |
公开(公告)号: | CN1492241A | 公开(公告)日: | 2004-04-28 |
发明(设计)人: | 远藤政孝;笹子胜 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | G02B5/08 | 分类号: | G02B5/08;G02B1/10;G03F1/14;G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种曝光装置用的反射镜、曝光装置用的反射型掩模、曝光装置以及图案形成方法。所述曝光装置具备,反射型掩模(20)和第一反射镜(30a)、第二反射镜(30b)、第三反射镜(30c)以及第四反射镜(30d)。反射型掩模(20)具有,选择性地形成在掩模基板上且反射极紫外线的反射层、形成在反射层的上面且吸收极紫外线的极紫外线吸收层、以及形成在反射层上的至少是没有形成极紫外线吸收层的区域的红外线吸收层。反射镜具有形成在镜面基板上并反射极紫外线的反射层和形成在反射层上并吸收红外线的吸收层。根据本发明,向抗蚀膜选择性地照射极紫外线之后,通过显影而得到的抗蚀图的形状不会劣化。 | ||
搜索关键词: | 曝光 装置 反射 型掩模 以及 图案 形成 方法 | ||
【主权项】:
1、一种曝光装置用的反射镜,其特征在于具备形成在镜面基板上且由钼和硅的多层膜构成的、反射极紫外线的反射层和形成在所述反射层的上面且由吸收红外线的化合物构成的吸收层。
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