[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 03134836.X | 申请日： | 2003-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1505121A | 公开（公告）日： | 2004-06-16 |
| 发明（设计）人： | 野田泰史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该法在由P型硅构成的半导体基板(100)的沟道形成区域上，以注入能大致70keV、注入量大致5×1013/cm2地离子注入铟离子，形成P型沟道杂质层(103A)，然后，在半导体基板(100)的上部，通过以注入能大致250keV、注入量大致1×1016/cm2地离子注入锗离子，在比半导体基板(100)中的P型沟道杂质层(103A)还深的区域上，形成非晶形层(104A)。根据本发明，在抑制伴随微细化的短沟道效应的显著化的同时，能够确实地提高沟道扩散层的浓度，并且还能够抑制由于低的阈值电压以及高浓度沟道引起的漏电流的增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体的沟道形成区域上通过离子注入由质量数相对大的重离子构成的第一导电型的第一杂质离子，在所述沟道形成区域上形成杂质注入层的第一工序；在所述半导体基板上通过离子注入第二杂质离子，在从半导体基板的表面至比杂质注入层深的区域上形成非晶形层的第二工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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