[发明专利]新型环栅垂直SiGeC MOS器件

摘要

本发明提供了一种新型环栅垂直SiGeCMOS器件，它包括：栅氧化层3、多晶硅栅层4、栅极5、源极6、漏极7以及电极引线8和SiO₂隔离区9；其特征是它还包括：生长在n－Si衬底上的p⁺－Si_1－α－βGe_αC_β层16(与13一起作源区)、p⁺－Si_1－α－βGe_αC_β层13(与16一起作源区)、本征SiGeC隔离层11、n－Si_1－x－yGe_xC_y沟道层12、本征SiGeC隔离层11、p⁺－Si_l－α－βGe_αC_β层10(作漏区)，以及在以上SiGeC多层结构和栅氧化层3之间的Si盖帽层2。新型环栅垂直SiGeCMOS器件可用于取代目前的体SiMOS器件，它具有高速、高频、亚阈区特性好、高集成度等特点。

主权项

1、一种新型环栅垂直SiGeC MOS器件，它包括：栅氧化层(3)、多晶硅层(4)、栅极(5)、源极(6)、漏极(7)以及电极引线(8)和SiO2隔离区(9)；其特征是它还包括：生长在n-Si衬底上p+-Si1-α-βGeαCβ层(16)、SiGeC多层结构(1)、Si盖帽层(2)；SiGeC多层结构(1)包括p+-Si1-α-βGeαCβ层(13)(与16一起作为源区)、本征SiGeC隔离层(11)、n-Si1-x-yGexCy沟道层(12)、本征SiGeC隔离层(11)、p+-Si1-α-βGeαCβ层(10)，以上五层组成圆柱型SiGeC多层结构(1)；在SiGeC多层结构(1)与栅氧化层(3)之间是Si盖帽层(2)；器件由呈长方体的p+-Si1-α-βGeαCβ层(16)和其上的圆柱组成，圆柱由内向外分四层，依次是SiGeC多层结构(1)(圆柱型)、Si盖帽层(2)(圆桶型)、栅氧化层(3)(圆桶型)、多晶硅层(4)(圆桶型)。