[发明专利]具有利用超薄介质击穿现象的存储器的微控制器无效
| 申请号： | 03135903.5 | 申请日： | 2003-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1527194A | 公开（公告）日： | 2004-09-08 |
| 发明（设计）人： | 彭泽忠;巫向东;毛军华;雷鸣;帅谊鹏 | 申请（专利权）人： | 绵阳凯路微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F9/22 | 分类号： | G06F9/22;H01L21/8229 |
| 代理公司： | 绵阳市蜀北专利有限公司 | 代理人： | 杨荫茂 |
| 地址： | 621000四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明披露了一种具有利用超薄介质击穿现象的存储器的微控制器，系一种具有改进的不挥发性存储器的微控制器。微控制器可包括一个处理器和存储器。存储器由大量的存储器单元构成。这些半导体存储器单元每一个都有一个在一种超薄介质(如栅氧化层)周围构成的数据存储元件。栅氧化层用于存储信息，其方法是通过给超薄介质加应力使其击穿(软击穿或硬击穿)建立起存储器单元的漏泄电流电平。存储器单元通过感测单元的吸收电流进行读出。一种适合的超薄介质是厚度为50埃或小于50埃的高质量栅氧化层，通常用现有的先进CMOS逻辑工艺可以实现。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 利用 超薄 介质击穿 现象 存储器 控制器 | ||
【主权项】：
1.一种微控制器，这种微控制器包括：一个处理器和一个存储器，其特征是所述存储器包括：(a)一只MOS场效应晶体管，该晶体管具有一个栅极，在栅极下面有一层栅介质，在栅介质和栅极下面有相互隔开并在其间确定出一沟道区的第1和第2掺杂半导体区；(b)一个MOS数据存储元件，该存储元件有一个导电结构，在导电结构下面有一层超薄介质，在超薄介质和导电结构下面有第1掺杂半导体区，MOS数据存储元件的第1掺杂半导体区与MOS场效应晶体管的第1掺杂半导体区连接在一起；(c)与MOS场效应晶体管的栅极连接在一起的一段选线；与MOS场效应晶体管的第2掺杂半导体区连接在一起的第一段存取线；(d)和与MOS数据存储元件的导电结构连接在一起的第2段存取线。
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