[发明专利]制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备

摘要

制造半导体器件的等离子体刻蚀方法和设备。等离子体刻蚀设备包括CCD，光分量提取器，K值计量器，比较器，存储器，控制器，供气部件和定时器。等离子体刻蚀设备还包括：内部放置和刻蚀晶片的处理室；密封处理室上端的第一顶；绕在顶上给处理室产生电场的线圈；通过顶的预定部分设置的至少一个发光极尖，向晶片发光和接收由晶片反射的光；和多个喷嘴，每个喷嘴设置在发光极尖周围和通过顶的预定部分，以给处理室供给气体。

主权项

1.一种制造半导体器件的等离子体刻蚀设备，该等离子体刻蚀设备包括：处理室，内装要刻蚀的晶片；第一顶，密封处理室的上端；线圈，绕在处理室顶上，产生引入处理室的电场；至少一个发光极尖，它穿过顶的预定部分设置，向晶片发光和接收由晶片反射的光；多个喷嘴，每个喷嘴设置在发光极尖周围并穿过顶的预定部分，以给处理室供气；和多个阀门，每个阀门设置在每个喷嘴处，以调节供给处理室的气体量，其中，第一顶有平的外表面和面向处理室内部空间的弯曲的内表面，弯曲的内表面的中心部分比边缘部分更向处理室内部空间突出。