[发明专利]改善浅沟隔离漏电的方法及浅沟隔离结构有效
| 申请号： | 03136031.9 | 申请日： | 2003-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN1549326A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张明成;陈逸男;林正平 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种改善浅沟隔离漏电的方法，其步骤包括：提供一半导体基底，且该半导体基底上形成有一垫层结构以及一沟槽；形成一掺杂的第一衬垫层于该沟槽的侧壁上；形成一第二衬垫层于该掺杂的第一衬垫层上；借由蚀刻移除部分的该第一衬垫层以及该第二衬垫层使该第一衬垫层的高度低于该第二衬垫层；形成一填充层于该垫层结构上以及填入该沟槽中；以及进行扩散使该第一衬垫层的掺杂离子扩散到该半导体基底中形成扩散区域于沟槽的底部两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 隔离 漏电 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种改善浅沟隔离漏电的方法，包括：提供一半导体基底，且该半导体基底上形成有一垫层结构以及一沟槽；形成一掺杂的第一衬垫层于该沟槽的侧壁上；形成一第二衬垫层于该掺杂的第一衬垫层上；借由蚀刻移除部分的该第一衬垫层以及该第二衬垫层使该第一衬垫层的高度低于该第二衬垫层；形成一填充层于该垫层结构上以及填入该沟槽中；以及进行扩散使该第一衬垫层的掺杂离子扩散到该半导体基底中形成扩散区域于沟槽的底部两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
