[发明专利]制造集成电路装置的方法和用该方法制造的集成电路装置有效
| 申请号： | 03136040.8 | 申请日： | 2003-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1482669A | 公开（公告）日： | 2004-03-17 |
| 发明（设计）人： | 张世明;秦教英;吴容哲;金炫昌 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 具有侧壁的栅形成在集成电路衬底上。在栅的侧壁上形成阻挡层间隔。阻挡层间隔的一部分从栅的侧壁突出，露出面向集成电路衬底的阻挡层间隔的下表面。在从栅的侧壁突出的阻挡层间隔的所述部分上形成硅化物层。也提供了相关的装置。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 集成电路 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路装置的方法，其特征在于包括步骤：在集成电路衬底上形成栅，该栅具有侧壁；在栅的侧壁上形成阻挡层间隔，阻挡层间隔的一部分从栅的侧壁突出，露出面向集成电路衬底的阻挡层间隔的下表面；以及在从栅的侧壁突出的所述阻挡层间隔的所述部分上形成硅化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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