[发明专利]磁性存储器件和方法有效
| 申请号： | 03136044.0 | 申请日： | 2003-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1487524A | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | M·沙马;L·T·特兰 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;王忠忠 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性存储器件和方法。在一个实施例中，本发明的磁性存储器件包括合成铁磁数据、软参考层和隧道层。合成铁磁数据层具有可指向第一取向和第二取向的磁矩。软参考层具有比合成铁磁数据层较低的矫顽力。隧道层具有被合成铁磁数据层和软参考层的磁矩取向影响的电阻特性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁性存储器件，包括：具有可指向第一取向和第二取向的磁矩(M1)的合成铁磁数据层(12)；具有比所述合成铁磁数据层(12)较低的矫顽力的软参考层(14)；和隧道层(16)，其电阻特性受到所述合成铁磁数据层(12)和所述软参考层(14)的磁矩(M1和M2)取向的影响。
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