[发明专利]传输通道中势垒部分宽度减小的电荷耦合装置有效
申请号: | 03136280.X | 申请日: | 2003-05-15 |
公开(公告)号: | CN1458696A | 公开(公告)日: | 2003-11-26 |
发明(设计)人: | 纲井史郎 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱进桂 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种电荷耦合装置(CCD),包括:沿一传输通道交替设置的第一层传输电极和第二层传输电极,其中位于第一层传输电极之下的电荷存储部分的宽度大于位于第二层传输电极之下的势垒部分的宽度。第一和第二互接线向该传输电极提供两相驱动信号。把第一互接线连接到该传输电极的接触塞以及连接第二互接线的接触塞相对于传输通道的中心线设置在相对的侧部。 | ||
搜索关键词: | 传输 通道 中势垒 部分 宽度 减小 电荷 耦合 装置 | ||
【主权项】:
1、一种电荷耦合装置(CCD),包括:一半导体衬底,该衬底内设有一在所述半导体衬底表面区域上的传输通道;覆盖在所述半导体衬底之上并沿所述传输通道交替设置的多个第一传输电极和多个第二传输电极;以及用于向所述第一和第二传输电极提供两相驱动信号、以便沿所述传输通道传输电荷的第一和第二互接线,其中:所述传输通道包括:多个第一扩散区以及多个第二扩散区,每一第一扩散区都位于相应的其中一个所述第一传输电极之下,每一第二扩散区都位于相应的其中一个所述第二传输电极之下,在传输电荷期间,所述第一扩散区组成电荷存储部分,而所述第二扩散区组成势垒部分;而且每一所述电荷存储区的宽度都大于每一所述势垒部分的宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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