[发明专利]一种避免晶圆切割时微粒掉落至晶圆上的方法有效
申请号: | 03136318.0 | 申请日: | 2003-05-26 |
公开(公告)号: | CN1553483A | 公开(公告)日: | 2004-12-08 |
发明(设计)人: | 徐宏仁;萧玉焜;张志光;潘昇良;翁福田 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马娅佳 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种避免晶圆切割时微粒掉落至晶圆上的方法,其中此晶圆具有CMOS影像感应器形成于其上,而此方法至少包括下列步骤:涂布非水溶性材质层于此晶圆的正面上,其中此晶圆的正面具有CMOS影像感应器形成于其上;黏着一胶带于此晶圆的背面上;切割黏着有胶带的此晶圆;除去非水溶性材质层。 | ||
搜索关键词: | 一种 避免 切割 微粒 掉落 至晶圆上 方法 | ||
【主权项】:
1.一种避免晶圆切割时微粒掉落至晶圆上的方法,其特征在于,该方法至少包括下列步骤:涂布非水溶性材质层于晶圆的正面上,该晶圆的正面具有半导体元件形成于其上;黏着一胶带于该晶圆的背面上;切割黏着有该胶带的该晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造