[发明专利]金属导线的蚀刻方法有效
| 申请号： | 03136362.8 | 申请日： | 2003-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN1553486A | 公开（公告）日： | 2004-12-08 |
| 发明（设计）人： | 聂俊峰;王清帆;郑丰绪;陈振隆 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种金属导线的蚀刻方法，包括下列步骤：提供一基板，上述基板具有一金属层；于上述金属层上形成一非晶碳植入层(amorphous carbon doped layer)；于上述非晶碳植入层上形成一阻剂层；图形化上述阻剂层来定义一阻剂罩幕；蚀刻上述非晶碳植入层中未被上述阻剂罩幕覆盖的部分而在上述非晶碳植入层定义一硬罩幕；剥除上述阻剂罩幕；以及蚀刻上述金属层未被该硬罩幕覆盖的部分，以形成一金属导线。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 导线 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属导线的蚀刻方法，包括下列步骤：提供一基板，该基板具有一金属层；于该金属层上形成一非晶碳植入层(amorphous carbon dopedlayer)；于该非晶碳植入层上形成一阻剂层；图形化该阻剂层来定义一阻剂罩幕；蚀刻该非晶碳植入层中未被该阻剂罩幕覆盖的部分而在该非晶碳植入层定义一硬罩幕；剥除该阻剂罩幕；以及蚀刻该金属层未被该硬罩幕覆盖的部分，以形成一金属导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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