[发明专利]制造半导体器件的简化工艺

摘要

一种使光掩模之间彼此准确对齐所需要的定位图案(4)；非晶硅(2)，其沉积到绝缘层(12)的除形成有定位图案的区域外的整个表面，以及将离子注入的图案和定位图案(4)同时转移到光抗蚀剂层(3)；使用光抗蚀剂掩膜(3)把掺杂剂杂质离子注入非晶硅层(2)，使用光抗蚀掩膜(3)选择性蚀刻绝缘层(12)；结果简化了工艺程序。

主权项

1.一种制造半导体器件的工艺，包括下述步骤：a)准备基片结构(11/12/2；13/2)，b)在所述基片结构(11/12/2；13/2)上形成具有主要图案(5)和定位图案(4)的光抗蚀剂掩膜(3)，c)在所述基片结构(11/12/2；13/2)中形成所述的主要图案和所述定位图案，以及d)通过至少一次光蚀刻，完成所述半导体器件，其中所述步骤c)包括下述子步骤：c-1)从所述光抗蚀剂掩膜(3)向所述基片结构(11/12/2；13/2)进行图案转移，从而在所述基片结构中形成所述主要图案(5)和所述定位图案(4)之一，c-2)从所述光抗蚀剂掩膜(3)向所述基片结构(11/12/2；13/2)进行另一次图案转移，从而在所述基片结构(11/12/2；13/2)中形成所述主要图案和所述定位图案(4)中的另一个。