[发明专利]互补式金氧半导体及其组合元件

摘要

本发明提供一种互补式金氧半导体，是由一第一型薄膜晶体管以及一第二型薄膜晶体管所构成，而第一型薄膜晶体管包括一栅极、一通道区、一第一型掺杂区以及一源极掺杂区，其中通道区、第一型掺杂区与源极掺杂区沿一第一方向排列配置。第二型薄膜晶体管则包括一栅极、一通道区、一第二型掺杂区以及一漏极掺杂区，其中通道区、第二型掺杂区与漏极掺杂区亦沿第一方向排列配置，且第二型掺杂区与第一型掺杂区沿一第二方向排列配置，第二方向系与第一方向垂直。而且，各薄膜晶体管中的掺杂区通过一导线电性相连，其中前述导线的延伸方向为第二方向。

主权项

1.一种互补式金氧半导体，其特征是，包括：一第一型薄膜晶体管，包括：一第一栅极；一第一岛状多晶硅层，位于该第一栅极下，其中该第一岛状多晶硅层包括：一第一通道区，位于该第一栅极正下方；一源极掺杂区，位于该第一栅极的一侧；以及一第一型掺杂区，位于该第一栅极的另一侧，其中该源极掺杂区、该第一通道区与该第一掺杂区沿一第一方向排列配置；一第二型薄膜晶体管，包括：一第二栅极；一第二岛状多晶硅层，位于该第二栅极下，其中该第二岛状多晶硅层包括：一第二通道区，位于该第二栅极正下方；一第二型掺杂区，位于该第二栅极的一侧；以及一漏极掺杂区，位于该第二栅极的另一侧，其中该第二型掺杂区、该第二通道区与该漏极掺杂区沿该第一方向排列配置，且该第二型掺杂区与该第一型掺杂区沿一第二方向排列配置，该第二方向与该第一方向垂直；一层间介电层，覆盖于该第一型薄膜晶体管及该第二型薄膜晶体管上，该层间介电层具有复数个接触窗洞，以暴露出该第一掺杂区以及该第二掺杂区；一导线，位于该层间介电层上，并通过该些接触窗洞连接该第一掺杂区以及该第二掺杂区，该导线的延伸方向为该第二方向；一源极接触金属，配置在该层间介电层上以及该层间介电层中，且该源极接触金属与该源极掺杂区电性连接；以及一漏极接触金属，配置在该层间介电层上以及该层间介电层中，且该漏极接触金属与该漏极掺杂区电性连接。