[发明专利]磁性记录介质及其制造方法和磁性记录装置无效
| 申请号： | 03136526.4 | 申请日： | 2003-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1467707A | 公开（公告）日： | 2004-01-14 |
| 发明（设计）人： | 神田哲典;矢野亮;藤田塩地;小沼刚;松沼悟 | 申请（专利权）人： | 日立麦克赛尔株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/66 | 分类号： | G11B5/66;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 徐川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及磁性记录介质及其制造方法和磁性记录装置，提供了一种介质噪音得以降低、能以高S/N再生信息的磁性记录介质的制造方法及磁性记录介质，而且还提供了一种热稳定性优良并能以高密度记录信息的磁性记录装置。按照本发明的磁性记录介质的制造方法，以垂直磁性方式使磁性记录介质成膜时，通过将籽晶层的B含量增大至比记录层中B含量大得多，能够使B从籽晶层向记录层扩散，促进B在记录层内的晶粒晶界部分偏析，进一步减少记录层内晶粒之间磁的相互作用。这样能够大幅度减少迁移噪音。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 记录 介质 及其 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁性记录介质，其特征在于，具有：基板，在上述基板上由软磁性材料形成的衬里层，在上述衬里层上由非磁性材料形成的籽晶层，邻接于上述籽晶层上、具有含硬磁性材料的晶粒和含偏析成分的晶粒边界部分而且显示垂直磁化的记录层，在所述记录层内，所述偏析成分在膜厚方向上有浓度梯度，所述浓度梯度从所述记录层的与所述籽晶层侧的界面向与所述籽晶层侧相反侧的界面减少。
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