[发明专利]位元线的形成方法

摘要

本发明提供一种位元线的形成方法，首先，提供一形成有晶体管的半导体基底，晶体管具有闸极及源汲极区，于半导体基底上形成一具有接触窗的第一介电层，接触窗露出源汲极区的表面，于接触窗内形成一导电层，并对第一介电层进行回蚀刻步骤至第一介电层的顶部表面低于导电层顶部表面一既定距离；然后，对露出表面的导电层进行氧化步骤，以在导电层形成一氧化层；移除氧化层以形成一顶部宽度缩小的导电层，且于导电层与第一介电层上形成一第二介电层，蚀刻第二介电层至露出导电层以形成复数个位元线沟槽，并于位元线沟槽内形成一位元线。

主权项

1.一种位元线的形成方法，包括下列步骤：提供一半导体基底，该半导体基底上形成有一晶体管，该晶体管具有一闸极及一源汲极区；于该半导体基底上形成一第一介电层，该第一介电层具有接触窗，该接触窗露出该源汲极区的表面；于该接触窗内形成一导电层，该导电层填满该接触窗；对该第一介电层进行回蚀刻步骤，以使该第一介电层的顶部表面低于该导电层顶部表面一既定距离；对露出表面的该导电层进行氧化步骤，以在该导电层形成一氧化层；移除该氧化层，形成一顶部宽度缩小的导电层；于该导电层与该第一介电层上形成一第二介电层，蚀刻该第二介电层至露出该导电层，以形成复数个位元线沟槽；及于该位元线沟槽内形成一位元线。