[发明专利]动态随机存取存储器的结构及其制作方法有效
| 申请号： | 03136551.5 | 申请日： | 2003-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1549335A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 王建中;吴国坚;陈逸男 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种动态随机存取存储器(Dynamic RandomAccess Memory，DRAM)的制法，包括下列步骤：提供一基底，包含一数组(array)区与一周边电路(periphery)区；形成复数个闸极结构于该数组区与该周边电路区中；顺应性形成一阻障层于该基底与该等闸极结构上；形成一介电层于该阻障层上；将该介电层进行回蚀使于数组区中形成一残留的介电层以及周边电路区中的该等闸极结构的二侧形成一间隙壁；施行一离子布植以于该周边电路区中形成一源/汲板；形成一罩幕层以覆盖住该周边电路区；以及以该罩幕层为蚀刻罩幕去除该数组区中该残留的介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储器(DRAM)的制法，包括下列步骤：提供一基底，包含一数组(array)区与一周边电路(periphery)区；形成复数个闸极结构于该数组区与该周边电路区中；顺应性形成一阻障层于该基底与该闸极结构上；形成一介电层于该阻障层上；将该介电层进行回蚀使于数组区中形成一残留的介电层以及周边电路区中的该闸极结构的二侧形成一间隙壁；施行一离子布植以于该周边电路区中形成一源/汲极；形成一罩幕层以覆盖住该周边电路区；以及以该罩幕层为蚀刻罩幕去除该数组区中该残留的介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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