[发明专利]一种用高结构缺陷高岭石制备高插层率有机复合物的方法无效
| 申请号： | 03136580.9 | 申请日： | 2003-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN1548477A | 公开（公告）日： | 2004-11-24 |
| 发明（设计）人： | 王林江;吴大清 | 申请（专利权）人： | 桂林工学院;中国科学院广州地球化学研究所 |
| 主分类号： | C09C3/00 | 分类号： | C09C3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以自然界广泛分布的高结构缺陷高岭石为插层反应主体，以极性有机分子为插层反应客体，制备具有高插层率的高岭石有机插层复合物的方法。包括将经过水洗、沉降分离提纯后的高岭石用5－10mol/L NaCl溶液对提纯后的高岭石进行Na－饱和处理，静置去除悬浮部分。与含极性溶剂4－15％、固体含量1％分散剂的极性有机分子混合，经磁力搅拌7－10天或超声分散48－72小时后，静置10－20小时。通过本发明的方法得到的高岭石有机复合物的插层率达到94－96％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 缺陷 高岭石 制备 高插层率 有机 复合物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用高结构缺陷高岭石制备具有高插层率的高岭石有机插层复合物的方法，其特征在于，采用以下步骤：1.1用NaCl溶液对提纯后的高结构缺陷高岭石进行Na-饱和处理，充分分散，静置，去除悬浮部分；1.2将高岭石与极性有机分子插层剂和极性溶剂及分散剂混合，分散，静置，分离；得到插层率94-96％的高岭石有机插层复合物。
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