[发明专利]半导体装置无效

专利信息
申请号: 03136750.X 申请日: 2003-05-20
公开(公告)号: CN1461009A 公开(公告)日: 2003-12-10
发明(设计)人: 山内忠昭;松本淳子;冈本武郎;诹访真人;市口哲一郎;米谷英树;长泽勉;田增成 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G11C11/4074 分类号: G11C11/4074
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 刘宗杰;王忠忠
地址: 暂无信息 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据电压电平设定信号(ZCMPE)切换高电压、中间电压及内部电源电压等内部电压的发生形态。即具体地说,在外部电源电压(EXVDD)的电压电平低的情况下,将接收比较电路的输出的电流驱动晶体管(24)和辅助驱动晶体管(31)强制地设定为导通状态,在内部电源线(10p)上生成外部电源电压。这时停止比较电路(23)的比较工作。在外部电源电压的电平高的情况下,将比较电路激活,降低外部电源电压,生成外围电源电压(VDDP)。因此,能根据外部电源电压电平生成最佳电压电平的外围电源电压。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于备有:发生基准电压的基准电压发生电路;激活时,对上述基准电压和内部电压进行比较,输出对应于该比较结果的信号的比较电路;根据上述比较电路的输出信号,从电源结点将电流供给内部电压线,生成上述内部电压的驱动电路;根据外部电压电平设定信号,使上述比较电路的比较工作停止,将其输出信号固定在规定的电压电平,将上述驱动电路设定在恒常导通状态用的比较控制电路;以及根据上述外部电压电平设定信号,将上述内部电压线耦合在电源结点上的辅助晶体管。
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