[发明专利]只读存储器的制造方法有效
| 申请号： | 03137093.4 | 申请日： | 2003-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1567572A | 公开（公告）日： | 2005-01-19 |
| 发明（设计）人： | 刘振钦;庄焜吉 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8246 | 分类号： | H01L21/8246;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种只读存储器的制造方法，此方法于一基底上形成电子捕捉层结构，再图案化电子捕捉层结构以形成复数个开口。接着，进行第一离子植入制作工艺以于开口中的基底表面形成第一掺杂区，再进行第二离子植入制作工艺，以于开口中的基底中形成第二掺杂区，其中第一掺杂区的掺杂深度小于第二掺杂区的掺杂深度，然后，于开口中的基底表面形成一埋入式漏极绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 只读存储器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种只读存储器的制造方法，其特征在于，包括：于一基底上形成一电子捕捉层结构；图案化该电子捕捉层结构以形成复数个开口；进行一第一离子植入制作工艺，以于该些开口中的该基底中形成一第一掺杂区；进行一第二离子植入制作工艺，以于该些开口中的该基底中形成一第二掺杂区，其中该第一掺杂区的掺杂深度小于该第二掺杂区的掺杂深度；以及于该些开口中的该基底表面形成一埋入式漏极绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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